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Datasheet下载- 型号： 1N4679 (DO35)
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4679 (DO35)由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4679 (DO35)价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N4679 (DO35)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N4679 (DO35)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N4679 (DO35) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation生产的1N4679（DO-35）是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别，广泛应用于需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。其典型应用场景包括： 1. 电压基准源：1N4679具有精确的齐纳击穿电压（通常为3.6V），常用于为模拟电路、ADC/DAC转换器或运算放大器提供稳定的参考电压。 2. 电源稳压电路：在低功耗电源系统中，该二极管可作为简单稳压元件，用于稳定输出电压，适用于小电流负载场合，如嵌入式系统或传感器供电模块。 3. 过压保护：在信号线或电源输入端，1N4679可用于钳位电压，防止瞬态高压损坏敏感元器件，常见于通信接口（如RS-232、I²C）的ESD或浪涌保护设计。 4. 电平转换与箝位电路：在数字逻辑电路中，用于将信号电平限制在安全范围内，确保不同电压域之间的兼容性。 5. 温度补偿电路：因其电压温度系数相对稳定，可与其他元件配合用于温度敏感电路的补偿设计。 由于采用DO-35封装，体积小，适合空间受限的PCB布局，常用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域的中小功率电路中。需要注意的是，1N4679的功率容量较小（通常为500mW），适用于低电流应用，设计时应确保工作电流在额定范围内，以保证稳定性和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 2V 500MW DO-35 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125997-lds-0240 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N4679 (DO35) |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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