Datasheet下载- 型号： VQ1006P
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VQ1006P由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VQ1006P价格参考。VishayVQ1006P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VQ1006P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VQ1006P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 VQ1006P 是一款包含多个MOSFET的阵列器件，属于功率MOSFET集成电路。该器件通常用于需要高效、紧凑功率控制的应用场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，尤其适合空间受限但要求高效率的便携式设备。 2. 电机驱动：可用于小型电机或步进电机的驱动电路，常见于打印机、扫描仪、机器人及自动化控制系统中。 3. LED照明控制：作为LED背光或照明系统的开关元件，实现调光与节能功能。 4. 工业控制：广泛应用于工业自动化设备中的继电器替代方案，提供快速响应与无磨损开关性能。 5. 通信设备：用于基站、路由器或交换机中的电源分配与负载管理，提高系统稳定性和能效。 6. 汽车电子：适用于车身控制模块（如车窗、门锁等）、车载充电系统或辅助加热/冷却装置的功率控制。 VQ1006P集成多个MOSFET于单一封装内，有助于减少PCB面积、提升可靠性，并简化设计流程，是中低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 90V 400MA 14DIPMOSFET 90V QUAD N-CHANNEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 4 个 N 通道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix VQ1006P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VQ1006PVQ1006P |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 90 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 90 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | * |
| 单位重量 | 1.200 g |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | - |
| 封装/箱体 | PDIP-14 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 90V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 400mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Quad |
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