Datasheet下载- 型号： UF28100V
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UF28100V由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UF28100V价格参考。M/A-COMUF28100V封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载UF28100V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UF28100V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | MACOM |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频MOSFET晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM UF28100V |
| 产品型号 | UF28100V |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 功率耗散 | 250 W |
| 商标 | MACOM |
| 增益 | 10 dB at 500 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/箱体 | Case 744A-01 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 1.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 输出功率 | 100 W |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 频率 | 100 MHz to 500 MHz |
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