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  • 型号: TIP101G
  • 制造商: ON Semiconductor
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TIP101G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TIP101G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIP101G价格参考。ON SemiconductorTIP101G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 80V 8A 2W 通孔 TO-220AB。您可以下载TIP101G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TIP101G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

TIP101G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它是一种达林顿对晶体管(Darlington Pair),具有高电流增益和高压特性,适用于多种功率驱动和开关应用场景。以下是 TIP101G 的主要应用场景:

 1. 电机驱动与控制
   - TIP101G 常用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,能够提供足够的电流以启动和运行电机。
   - 它可以作为功率放大器,将微控制器或其他低功率信号源的输出信号转换为驱动电机所需的高电流信号。

 2. 继电器驱动
   - 在需要通过低功率信号控制高功率负载的情况下,TIP101G 可用于驱动继电器线圈,实现对大功率设备的开关控制。
   - 其高电流增益特性使得即使输入信号较弱,也能可靠地激活继电器。

 3. LED 和灯泡驱动
   - TIP101G 能够驱动高亮度 LED 或小功率灯泡,适用于照明控制、信号指示等场景。
   - 在音频设备中,也可以用作视觉指示器(如 VU 表)的驱动元件。

 4. 功率放大器
   - 在音频应用中,TIP101G 可用作功率放大器的一部分,将小信号放大到足以驱动扬声器的程度。
   - 其高增益特性使其适合于低失真、高效率的功率输出级设计。

 5. 电源开关
   - TIP101G 可用于简单的电源开关电路,例如控制加热元件、电磁阀或其他高功率负载的通断。
   - 它能够在较高的电压和电流条件下工作,确保可靠性和稳定性。

 6. 工业自动化
   - 在工业控制领域,TIP101G 可用于传感器信号放大、执行器驱动等任务。
   - 它适合需要高电流驱动能力的场合,例如电磁铁、 solenoid 阀门等。

 注意事项
- TIP101G 的最大集电极-发射极电压(Vce)为 100V,最大集电极电流(Ic)为 5A,使用时需确保工作条件在其规格范围内。
- 由于其为 NPN 类型,通常需要正向偏置的基极信号才能导通。
- 在高功耗应用中,建议加装散热片以防止过热。

综上所述,TIP101G 适用于需要高电流增益和较高电压承受能力的功率驱动和开关场景,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS BIPO NPN 8A 80V TO-220AB达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor TIP101G-

数据手册

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产品型号

TIP101G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

2.5V @ 80mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 3A,4V

产品目录页面

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

TIP101G-ND
TIP101GOS

功率-最大值

2W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

8 A

最大集电极截止电流

50 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

8A

电流-集电极截止(最大值)

50µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

系列

TIP101

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

频率-跃迁

-

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