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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TIP111TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIP111TU价格参考。Fairchild SemiconductorTIP111TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TIP111TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TIP111TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TIP111TU是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型达林顿晶体管,属于双极性晶体管(BJT)类别。该器件具有高电流增益、高集电极电流和较高的功率处理能力,适用于需要驱动较大负载的场景。 典型应用场景包括: 1. 功率开关电路:TIP111TU常用于开关电源、继电器驱动、电机控制等需要大电流开关功能的场合,其达林顿结构使其能够以较小的基极电流控制较大的负载电流。 2. 工业控制设备:在自动化控制系统中,用于驱动电磁阀、指示灯、加热元件等高功率负载。 3. 电源管理模块:作为线性稳压器或过流保护电路中的调整元件,稳定输出电压或实现限流功能。 4. 消费类电子产品:如家用电器中的电机调速、灯光调节等控制电路。 5. 照明控制:可用于驱动LED阵列或卤素灯等照明系统,尤其适用于需脉宽调制(PWM)调光的场景。 TIP111TU采用TO-220封装,具备良好的散热性能,可在较宽温度范围内稳定工作,适合工业级应用环境。由于其较高的饱和压降,使用时需注意功耗与散热设计,避免过热损坏。 综上,TIP111TU广泛应用于需要高增益、高电流放大能力的中低频功率控制领域,是传统模拟与数字控制电路中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 80V 2A TO-220达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor TIP111TU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TIP111TU |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2.5V @ 8mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 1A,4V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.214 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220AB |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 1000 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 200 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 2mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 at 1 A at 4 V, 500 at 2 A at 4 V |
| 系列 | TIP111 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 频率-跃迁 | - |