Datasheet下载- 型号： TIG065E8-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TIG065E8-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIG065E8-TL-H价格参考。ON SemiconductorTIG065E8-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TIG065E8-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TIG065E8-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为TIG065E8-TL-H的ON Semiconductor产品是一款碳化硅（SiC）MOSFET器件，主要应用于高效率、高频率的电力电子系统中。其典型应用场景包括： 1. 电动汽车（EV）充电系统：适用于车载充电器（OBC）和快速充电桩，因其高耐压、低导通损耗和开关损耗特性，有助于提升充电效率并减小系统体积。 2. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和储能系统，该器件支持高效DC-AC转换，提升能源利用率，适应高温和高频工作环境。 3. 工业电源与UPS（不间断电源）：用于高功率密度电源模块，实现更高的转换效率和更小的散热设计，提升系统可靠性。 4. 电机驱动与变频器：适用于工业电机控制，提高能效并减少能量损耗，支持高频开关以实现更精确的控制。 5. 功率因数校正（PFC）电路：在高功率电源中作为主开关器件，提高功率因数并降低谐波干扰。 该器件具备优异的热性能和高可靠性，适合要求高效、高密度和高稳定性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
| 描述 | IGBT 400V ECH8IGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor TIG065E8-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TIG065E8-TL-H |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 7V @ 2.5V，100A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 150 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD |
| 封装/箱体 | ECH-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 4 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 10 uA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 系列 | TIG065E8 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single Quad Collector Triple Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 4.2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 150 A |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
