【未分类_STGB7NB60HDT4】封装/厂家_STGB7NB60HDT4中文资料_价格

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型号： STGB7NB60HDT4
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STGB7NB60HDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB7NB60HDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB7NB60HDT4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载STGB7NB60HDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB7NB60HDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STGB7NB60HDT4是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超快恢复功率MOSFET（UGBT，Ultrafast Gen-Bipolar Transistor）系列。该器件的主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   STGB7NB60HDT4适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式变换器。其低导通电阻和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于工业和消费类电机驱动应用中，例如家用电器（如洗衣机、空调等）中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。它能够提供高效、可靠的开关性能。

3. 逆变器：  
   在光伏逆变器和其他类型的电力逆变器中，STGB7NB60HDT4可以用于功率级开关，实现高效的直流到交流转换。

4. 不间断电源（UPS）：  
   此器件适合用于UPS系统的功率转换模块中，确保在主电源中断时提供稳定的备用电源输出。

5. PFC（功率因数校正）电路：  
   在需要高功率因数的应用中，例如工业设备或大型家电，STGB7NB60HDT4可以用作PFC升压开关，以满足严格的能效标准。

6. 电池管理系统（BMS）：  
   它可以应用于电动汽车（EV）或储能系统的电池管理中，作为充放电控制的关键元件。

7. 负载开关与保护电路：  
   在需要快速响应和低功耗的负载切换场景中，这款MOSFET也非常适用，例如过流保护、短路保护等功能。

总结来说，STGB7NB60HDT4凭借其600V耐压能力、低Rds(on)以及优秀的动态性能，广泛应用于高电压、高频开关的电力电子领域，特别是在对效率和可靠性要求较高的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	15ns/75ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	56A
描述	IGBT 600V 14A 80W D2PAK
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	42nC
IGBT类型	-
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	STGB7NB60HDT4
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerMESH™
SwitchingEnergy	85µJ （关）
TestCondition	480V, 7A, 10 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.8V @ 15V，7A
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	497-4107-1
功率-最大值	80W
包装	剪切带（CT）
反向恢复时间(trr)	100ns
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	14A
输入类型	标准