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SS9012GBU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SS9012GBU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SS9012GBU价格参考。Fairchild SemiconductorSS9012GBU封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 20V 500mA 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载SS9012GBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SS9012GBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SS9012GBU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于单晶体管系列。该型号广泛应用于低功率信号放大和开关电路中,其典型应用场景包括但不限于以下几种: 1. 信号放大 - SS9012GBU 可用于音频信号放大器中,作为前置放大级或中间级的增益元件。 - 在无线通信设备中,可用于射频(RF)信号的小信号放大。 2. 开关应用 - 用作简单的电子开关,控制 LED、继电器或其他低功率负载的通断。 - 在数字电路中,作为逻辑电平转换或驱动高电流负载的开关元件。 3. 电源管理 - 在线性稳压器中充当调整管,帮助稳定输出电压。 - 用于电池充电电路中的电流限制或保护功能。 4. 传感器接口 - 与各种传感器(如光电二极管、热敏电阻等)配合使用,将微弱信号放大到可检测水平。 - 在霍尔效应传感器中作为信号处理的一部分。 5. 脉宽调制 (PWM) 驱动 - 在电机驱动或灯光调光电路中,作为 PWM 信号的执行元件,控制负载的功率输出。 6. 音频设备 - 在小型扬声器驱动器中,作为功率放大器的一部分,提供足够的电流驱动扬声器。 特性概述: - 集电极-发射极击穿电压 (VCEO):约 40V,适用于大多数低电压应用。 - 最大集电极电流 (IC):200mA,适合低功率场景。 - 直流电流增益 (hFE):通常在 100~300 范围内,提供良好的放大能力。 综上所述,SS9012GBU 凭借其高增益、低功耗和稳定性,成为许多消费电子、工业控制和通信系统中的理想选择。具体应用时需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR PNP 20V 500MA TO-92两极晶体管 - BJT PNP/40V/0.5A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor SS9012GBU- |
数据手册 | |
产品型号 | SS9012GBU |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 112 @ 50mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 散装 |
单位重量 | 179 mg |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 202 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 64 |
系列 | SS9012 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.18 V |
集电极连续电流 | - 0.5 A |
零件号别名 | SS9012GBU_NL |
频率-跃迁 | - |