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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | 点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N2905A |
| 产品型号 | 2N2905A |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | TO-39 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.6 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
| 系列 | 2N2905 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.45 A |