Datasheet下载- 型号： PBSS2515MB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS2515MB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS2515MB,315价格参考。NXP SemiconductorsPBSS2515MB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS2515MB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS2515MB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS2515MB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款通用 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用超小型 SOT-883（0.8×0.6×0.4 mm）封装，具有低饱和压降（VCE(sat) 典型值仅 0.15 V @ IC=150 mA, IB=15 mA）、高直流电流增益（hFE = 150–300 @ IC=100 mA）及良好开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备中的负载开关：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中驱动LED指示灯、振动马达或小功率传感器模块； 2. 电池供电系统的电源管理：用于低功耗MCU的GPIO扩展驱动、电池电压检测电路中的信号电平转换与使能控制； 3. 通信接口保护与电平适配：在I²C、UART等数字接口中作缓冲/反相器，或配合TVS实现ESD敏感电路的简易保护驱动级； 4. 微型DC-DC转换辅助电路：在升压/降压模块中驱动同步整流MOSFET的栅极（需搭配合适驱动设计）或作为反馈环路中的电流检测放大前端； 5. 工业传感器节点：用于4–20 mA变送器、霍尔传感器信号调理电路中的电流源/开关元件。 该器件强调高可靠性、小尺寸与低功耗，不适用于大电流（IC max=300 mA）或高频（fT≈170 MHz）主开关场景，典型工作频率限于数百kHz以内。设计时需注意SOT-883封装的焊接工艺与热管理要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 15V 0.5A 3DFN两极晶体管 - BJT 15V NPN 0.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS2515MB,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS2515MB,315 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 25mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10515-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 420 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | SOT883B |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 590 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.1 V |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 频率-跃迁 | 420MHz |
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