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产品简介:
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型号为 SMMUN2116LT1G 的晶体管由 ON Semiconductor 生产,属于 预偏置双极型晶体管(BJT),采用单管封装。该器件内部集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性,适用于多种低频、中速开关和放大应用。 应用场景包括: 1. 逻辑电平转换:用于将低压逻辑信号(如3.3V或5V)控制高电压或大电流负载,常用于数字电路与功率器件之间的接口。 2. 小型继电器或LED驱动:适用于需要中等电流驱动能力的场合,如驱动小型继电器、LED显示屏或指示灯。 3. 电源管理电路:用于电源开关控制、负载切换或电池供电设备中的电流控制。 4. 工业控制设备:如PLC模块、传感器接口、电机控制电路中的信号放大与开关。 5. 消费类电子产品:如智能家电、遥控器、充电器等产品中实现信号放大或开关控制功能。 该晶体管具有体积小、集成度高、使用方便等优点,适合高密度PCB布局和大批量自动化生产场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMMUN2116LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | - |