【未分类_SGH15N120RUFDTU】封装/厂家_SGH15N120RUFDTU中文资料_价格

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型号： SGH15N120RUFDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SGH15N120RUFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGH15N120RUFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGH15N120RUFDTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SGH15N120RUFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGH15N120RUFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGH15N120RUFDTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的1200V、15A高速沟槽型IGBT（带反并联快恢复二极管），采用TO-247AD封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.1V @ IC=15A）、短尾电流、高开关速度及良好鲁棒性。

典型应用场景包括：  
• 工业变频器与伺服驱动器：用于电机控制主回路，实现高效PWM逆变，尤其适用于中功率（约3–7.5 kW）三相交流电机调速；  
• 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变级中，承担DC-AC能量转换，兼顾效率与动态响应；  
• 感应加热与电磁炉：作为谐振逆变桥臂开关，支持20–100 kHz高频工作，配合软开关设计降低损耗；  
• 光伏逆变器：适用于中小功率组串式逆变器的升压或逆变环节（需搭配合适驱动与保护电路）；  
• 电焊机（逆变式）：满足高di/dt要求和重复雪崩耐受能力，保障短时过载可靠性。

该器件内置优化的场截止结构与快速续流二极管（trr < 100 ns），适合硬开关应用，但需注意栅极驱动电压（推荐15 V ±10%）及关断时的电压尖峰抑制（建议RC缓冲或有源钳位）。不适用于超低频（<1 kHz）或超高频（>200 kHz）场景。

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