Datasheet下载- 型号： SBR10200CTB-13-G
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SBR10200CTB-13-G由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBR10200CTB-13-G价格参考。Diodes Inc.SBR10200CTB-13-G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SBR10200CTB-13-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SBR10200CTB-13-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的SBR10200CTB-13-G是一款超快恢复整流器阵列，广泛应用于需要高效、低损耗和快速开关性能的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统。其超快恢复特性和低正向压降能够提高效率并减少热损耗。 - 在多路输出电源设计中，SBR10200CTB-13-G可以为不同的电压轨提供高效的整流功能。 2. 电池充电与保护 - 在电池充电器中，该整流器阵列可用于整流和保护电路，确保充电过程中的电流流向正确，并防止反向电流对电池造成损害。 - 其低漏电流特性有助于延长电池待机时间。 3. 电机驱动与控制 - 在小型电机驱动电路中，SBR10200CTB-13-G可用于整流或续流二极管，支持高效的电流切换，同时降低电磁干扰（EMI）。 - 适用于家用电器、电动工具和消费电子产品的电机控制系统。 4. 信号隔离与保护 - 在数据通信和工业控制领域，该器件可用于信号隔离电路，防止高电压或浪涌电流对敏感电路的损坏。 - 其快速恢复特性使其适合高频信号处理场景。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，如车载充电器、LED照明驱动和传感器接口，SBR10200CTB-13-G可以提供稳定且高效的整流功能。 - 满足汽车环境下的高温、高振动和高可靠性要求。 6. 消费电子 - 用于USB充电器、便携式设备和其他消费电子产品中的整流电路，确保高效能量转换和小尺寸设计。 - 其紧凑的封装形式（如TO-252）非常适合空间受限的应用。 核心优势： - 超快恢复时间：减少开关损耗，提升系统效率。 - 低正向压降：降低功耗，减少发热。 - 高可靠性：适用于严苛的工作环境。 - 小尺寸封装：便于集成到紧凑型设计中。 综上所述，SBR10200CTB-13-G凭借其优异的性能，广泛应用于电源管理、电池充电、电机驱动、信号保护以及汽车和消费电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SBR 200V 10A D2PAK肖特基二极管与整流器 10A 200V |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated SBR10200CTB-13-GSBR® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SBR10200CTB-13-G |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 920mV @ 5A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 200V |
| 二极管类型 | 超级势垒 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=13401 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | SBR10200CTBDIDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 20ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 峰值反向电压 | 200 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 恢复时间 | 20 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 80 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.92 V at 5 A |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/DiodesInc/sbr.html |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 200V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 5A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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