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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供S1GHE3/5AT由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 S1GHE3/5AT价格参考。VishayS1GHE3/5AT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载S1GHE3/5AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有S1GHE3/5AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的S1GHE3/5AT是一款高性能的表面贴装硅整流二极管,属于超薄SMC(DO-214AB)封装的单整流器二极管。该器件广泛应用于各类电子设备中,适用于需要高效、可靠整流功能的场景。 S1GHE3/5AT的主要应用场景包括:开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、消费类电子产品(如电视、机顶盒、路由器等)、LED照明电源模块以及工业控制电源系统。由于其具备1000V反向重复电压(VRRM)和1.0A平均整流电流能力,能够在高电压环境下稳定工作,适合用于输入级整流电路。 此外,该二极管具有低正向压降和高浪涌电流承受能力,有助于提高电源效率并增强系统可靠性。其环保符合RoHS指令,采用无卤素材料,适用于对环保要求较高的产品设计。S1GHE3/5AT还具备良好的热稳定性与抗干扰性能,可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作,适合在严苛环境或紧凑型高密度PCB布局中使用。 综上所述,S1GHE3/5AT凭借其优良的电气性能和可靠的封装技术,特别适用于空间受限但对效率和可靠性有较高要求的现代电源整流应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC整流器 1.0 Amp 400 Volt 40A IFSM @ 8.3ms |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?88711 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors S1GHE3/5AT- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | S1GHE3/5ATS1GHE3/5AT |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 12pF @ 4V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 400V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-214AC(SMA) |
| 其它名称 | S1GHE3/5AT-ND |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | 1.8µs |
| 反向电压 | 400 V |
| 反向电流IR | 1 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
| 封装/箱体 | SMA |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 7500 |
| 恢复时间 | 1800 ns |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 40 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 7,500 |
| 正向电压下降 | 1.1 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 27°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 400V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | S1x |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 625-S1GHE3_A/I |