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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RT1A040ZPTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RT1A040ZPTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RT1A040ZPTR价格参考。ROHM SemiconductorRT1A040ZPTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RT1A040ZPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RT1A040ZPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RT1A040ZPTR 是罗姆（ROHM）公司推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装封装（如 TSMT6），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高耐压（VDSS = 40 V）及优异的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于笔记本电脑、平板、便携式设备中的同步降压（Buck）转换器中作为主开关或同步整流管，提升转换效率并减小发热。 - 电池供电系统：适用于电动工具、无人机、扫地机器人等对能效与尺寸敏感的设备中，用作电机驱动H桥的上/下臂开关，支持大电流（连续漏极电流 ID 高达 80 A，脉冲可达 240 A）和快速开关。 - 负载开关与电源管理：在主板、电源模块中作为高效、低损耗的电源通断控制器件（Power Switch），配合保护电路实现过流/短路防护。 - LED 驱动与照明电源：用于恒流驱动电路或调光控制中的开关元件，满足高频率 PWM 调光需求。 该器件具备良好的热性能（低热阻 Rth(j-c)）和内置ESD保护，适合高密度PCB布局。需注意合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热焊盘焊接及米勒效应抑制，以确保稳定可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A TSST8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RT1A040ZPTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2350pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-TSST |
| 其它名称 | RT1A040ZPCT |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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