Datasheet下载- 型号： RSS105N03FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS105N03FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS105N03FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS105N03FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS105N03FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS105N03FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS105N03FU6TB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用超小型封装SOT-23（实际为更紧凑的UMT3封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅14.5 mΩ @ Vgs=10V）、低栅极电荷（Qg=2.8 nC）和快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达3.5A（Ta=25℃），适合中低功率、高效率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压型BUCK-BOOST电源中提升转换效率； ✅ 电机驱动模块：用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）的H桥或单路驱动； ✅ LED恒流驱动与调光控制：配合PWM信号实现高效、低发热的LED开关控制； ✅ USB接口保护与热插拔控制：利用其快速响应与低损耗特性实现过流/短路保护功能。 该器件集成ESD保护（±2kV HBM），具备良好的热稳定性与可靠性，配合ROHM优化的驱动兼容性，适用于高频（可达数百kHz）、小尺寸、低功耗系统设计。广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子（如车身控制模块非安全相关子系统）等对成本、体积与能效均有较高要求的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS105N03FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1130pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.7 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Ta） |
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