Datasheet下载- 型号： RP1L055SNTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1L055SNTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1L055SNTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1L055SNTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1L055SNTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1L055SNTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1L055SNTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻（Rds(on) typ. 45 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg typ. 2.1 nC）和快速开关特性。其额定电压为60 V，连续漏极电流达0.5 A（Tc=25°C），适合低压、小功率、高效率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED驱动、背光控制或负载开关； ✅ 电池供电系统保护电路：用于反向电流阻断、电池充放电路径切换（如USB OTG供电控制）； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在微型升压/降压模块中提升转换效率； ✅ 微控制器I/O直接驱动场景：因支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.5 V），可由1.8 V / 3.3 V MCU GPIO直接控制，无需额外驱动电路； ✅ 空间受限的传感与接口电路：如IoT节点中的传感器供电使能、信号通路开关等。 其SOT-23封装尺寸小（2.9 × 2.4 × 0.9 mm）、热性能优，兼顾高可靠性与成本效益，特别适用于对体积、功耗和响应速度有严苛要求的小型化、电池供电类终端产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RP1L055SNTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 730pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 49 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1L055SNTRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Ta） |
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