Datasheet下载- 型号： R1LV0108ESF-7SR#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0108ESF-7SR#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0108ESF-7SR#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0108ESF-7SR#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0108ESF-7SR#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0108ESF-7SR#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0108ESF-7SR#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低电压、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），工作电压为2.2V–3.6V，访问时间典型值为7ns，采用44引脚TSOP II封装。 该器件主要面向对功耗敏感、需快速读写响应且空间受限的嵌入式应用。典型应用场景包括：工业控制设备（如PLC模块、人机界面HMI）中的缓存与临时数据存储；通信设备（如路由器、基站接口卡）中用于帧缓冲或协议处理的高速暂存；汽车电子系统（如车身控制模块BCM、车载信息娱乐系统IVI的辅助控制器）中满足AEC-Q100 Grade 3温度要求（–40°C至+85°C）的可靠数据暂存；以及医疗电子设备（如便携式监护仪）中需要低功耗与高稳定性的实时数据缓冲。 其低功耗特性（待机电流典型值仅1μA）和宽温工作能力，使其适用于电池供电或散热受限的边缘计算节点。需注意：该型号为SRAM，非Flash或DRAM，不具掉电保存能力，适用于需纳秒级访问、频繁读写的易失性存储场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0108ESF-7SR#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP（8x20） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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