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  • 型号: PSMN4R4-80PS,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R4-80PS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R4-80PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R4-80PS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN4R4-80PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R4-80PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia的PSMN4R4-80PS,127是一款高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅4.4 mΩ @ Vgs=10V,6.8 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID可达120 A)及优异的热性能。其主要应用场景包括:

- 开关电源(SMPS):广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、DC-DC转换器(如Buck/Boost拓扑)的主开关或续流管,提升效率并降低温升。  
- 电机驱动:适用于BLDC电机控制器、电动工具、无人机电调等中高功率驱动场景,支持高频PWM控制与快速开关(tr/tf典型值<20 ns)。  
- 负载开关与电源管理:在主板、GPU供电模块、热插拔电路中作为高效、低损耗的电源通断开关,配合过流/短路保护设计。  
- 电池管理系统(BMS):用于电池保护板中的充放电主回路开关,兼顾低导通压降与可靠短路耐受能力(UIS额定值达390 mJ)。  

该器件具备AEC-Q101车规级可靠性认证(部分批次),亦适用于严苛工业环境;逻辑电平驱动特性使其可直接由MCU/GPIO(3.3V/5V)驱动,简化外围电路。综合来看,它适用于对效率、功率密度和鲁棒性要求较高的中大功率电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 80V 100A TO220ABMOSFET N-CH 80V 4.1 mOhm Standard level FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R4-80PS,127-

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产品型号

PSMN4R4-80PS,127

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

306 W

Pd-功率耗散

306 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

上升时间

38.1 ns

下降时间

18.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8400pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

125nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.1 毫欧 @ 15A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-4896-5
934063914127

典型关闭延迟时间

66 ns

功率-最大值

306W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

4.1 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

80 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

80V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

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