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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMST6428,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMST6428,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMST6428,115价格参考。NXP SemiconductorsPMST6428,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMST6428,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMST6428,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMST6428,115 是 Nexperia（安世半导体）推出的 PNP 型双极结型晶体管（BJT），采用超小型 SOT323（SC-70）封装，具有低饱和压降、高电流增益（hFE）、快速开关特性及良好热稳定性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，用于LED背光驱动、负载开关或电池保护电路中的电平转换与信号控制； - 小信号放大与开关应用：在传感器接口、微控制器I/O扩展、逻辑电平转换（如3.3V/5V系统间）、继电器/蜂鸣器驱动等低功耗场景中，实现高效通断控制； - 电池供电系统中的节能控制：凭借低基极驱动电流需求和低VCE(sat)（典型值仅0.12V @ IC=100mA），显著降低导通损耗，延长续航； - 工业与消费类电子的冗余设计：适用于空间受限的PCB布局，常用于多路信号选择、状态指示、EEPROM写保护等辅助功能电路。 该器件工作结温范围宽（−65°C 至 +150°C），符合AEC-Q101车规标准（部分批次），亦可用于对可靠性要求较高的车载信息娱乐系统外围控制。注意：实际应用中需合理设计基极限流电阻，并避免超出最大额定值（IC=500mA，Ptot=250mW）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 50V 100MA SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMST6428,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 100µA， 5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934030870115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 700MHz |
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