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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN50UPE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN50UPE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN50UPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMN50UPE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN50UPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN50UPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN50UPE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用小型 SOT-323（SC-70）表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 48 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.6 nC）和高开关效率等特点。其额定电压为 –50 V，连续漏极电流为 –420 mA（Ta = 25°C），适合低压、小功率、空间受限的便携式应用。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理——如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的电池保护电路、负载开关或反向电流阻断； ✅ LED 驱动控制——用于低功耗指示灯或背光的 PWM 调光开关； ✅ 接口电平转换与信号切换——在 MCU I/O 口驱动低侧/高侧逻辑电平转换或总线隔离； ✅ DC-DC 转换器辅助电路——如同步整流辅助开关、使能控制或反馈路径中的有源器件； ✅ 工业与消费类电子中的小型负载开关——如 USB 外设供电控制、传感器模块供电启停等。 该器件具备 ESD 保护（HBM ≥ 2 kV），工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），支持无铅回流焊工艺，适用于高可靠性、紧凑型设计。需注意其为 P 沟道结构，常用于高边开关配置，设计时应合理匹配栅极驱动电压（推荐 VGS ≤ –4.5 V 以确保充分导通）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOPMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN50UPE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMN50UPE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 5000 mW |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Qg-GateCharge | 10.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.6 V |
| 上升时间 | 700 ns |
| 下降时间 | 8800 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 24pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 66 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-10804-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 2180 ns |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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