Datasheet下载- 型号： PMF63UN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMF63UN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMF63UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMF63UN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMF63UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMF63UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PMF63UN,115的MOSFET由NXP USA Inc.生产，适用于多种电子设备中的电源管理和开关应用。该器件为单沟道N沟道MOSFET，具有高效能和低导通电阻的特点，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及电池供电设备中的功率控制。此外，其小型封装也使其适用于空间受限的设计，如便携式电子产品、工业自动化设备及汽车电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323MOSFET N-Chan 20V 1.9A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMF63UN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMF63UN,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 1785 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.785 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 74 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 74 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 185pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 74 毫欧 @ 1.8A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-10785-1 |
| 功率-最大值 | 275mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 74 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
