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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010AET,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010AET,215价格参考。NXP SemiconductorsPMEG2010AET,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMEG2010AET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010AET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010AET,215 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的低压降肖特基势垒整流二极管,采用SOD-123小型表面贴装封装,具有低正向压降(典型值仅0.29 V @ 1 A)、高效率、快速开关及优异的反向恢复特性。其额定参数为20 V反向电压、1 A平均整流电流,适用于空间受限、功耗敏感的便携式电子设备。 主要应用场景包括: 1. USB供电路径管理:在USB Type-C或Micro-USB接口中作为电源路径二极管,防止电池反向放电,提升充电效率; 2. 电池供电设备的防反接与ORing功能:如蓝牙耳机、智能手表、TWS耳机等,在多电源(如USB+电池)系统中实现自动电源切换与隔离; 3. DC-DC转换器输出侧续流/同步整流辅助:配合DC-DC芯片降低损耗,提升轻载效率; 4. 低功耗IoT节点与传感器模块:在3.3 V/5 V供电系统中提供高效、紧凑的整流方案,减少发热与压降损失; 5. LED驱动与RF模块电源隔离:利用其快速响应和低噪声特性,避免干扰敏感射频电路。 该器件符合AEC-Q200标准(车规级可靠性),亦可用于车载信息娱乐系统中的低压辅助电源整流。其无铅、符合RoHS的环保设计,适配现代自动化贴片产线。综上,PMEG2010AET,215 是面向高能效、小尺寸、电池优先类消费电子与工业嵌入式系统的理想单管整流解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A TO236AB肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010AET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010AET,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 430mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 70pF @ 5V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | Diodes & Rectifiers - Arrays |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7388-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 9 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.43 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 120°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A(DC) |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2010AET T/R |