SOT223-1.jpg)
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PHT11N06LT,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT11N06LT,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT11N06LT,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT11N06LT,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHT11N06LT,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHT11N06LT,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHT11N06LT,135 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为110 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（Id=11A连续，脉冲达44A）及快速开关特性。其逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1–2.2V）使其可直接由3.3V或5V微控制器（如ARM Cortex-M、Arduino等）驱动，无需额外驱动电路。 典型应用场景包括： ✅ 中小功率DC-DC转换器（如Buck/Boost拓扑中的同步整流或主开关）； ✅ 电池供电设备的电源管理，如便携式医疗仪器、智能传感器节点的负载开关与电池保护电路； ✅ 工业控制中的继电器替代方案，用于PLC输出模块、LED照明调光/开关、电机（≤100W）启停控制； ✅ 汽车电子辅助系统（符合AEC-Q101可靠性标准），如车身控制模块（BCM）中的车窗升降、座椅调节、风扇驱动等非安全关键负载； ✅ 消费类电子产品中的过流/过压保护、USB端口电源开关、充电管理电路。 该器件具备良好的热性能（RθJA≈60°C/W）和ESD防护能力，适用于空间受限、需高效能与简化设计的中低压（60V耐压）、中电流应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 10.7A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHT11N06LT,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 5A，5V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 934054590135 |
| 功率-最大值 | 8.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A （Ta） |
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