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产品简介:
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PHP20NQ20T,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单管),采用 TO-220AB 封装,额定参数为:VDS = 200 V,ID(连续)= 20 A,RDS(on) 典型值仅 0.18 Ω(VGS = 10 V),具备低导通损耗和良好热稳定性。 该器件主要应用于中高压、中功率开关场景,典型用途包括: ✅ 开关电源(SMPS):如 AC-DC 适配器、服务器/通信电源中的主开关或同步整流; ✅ 电机控制:适用于 24–48 V 直流电机驱动(如工业泵、风扇、电动工具)、H 桥驱动中的高边/低边开关; ✅ 照明电子:LED 驱动电源、智能调光镇流器中的 PWM 开关; ✅ 电池管理系统(BMS):作为充放电保护回路中的主控 MOSFET,支持过流/短路保护; ✅ 工业控制与自动化设备:PLC 输出模块、固态继电器(SSR)及电磁阀驱动等需要可靠通断的场合。 其逻辑电平兼容特性(VGS(th) 低至 2.0–4.0 V)可直接由微控制器(如 ARM、MCU)IO 口驱动,简化外围电路;TO-220 封装便于散热设计,适合对成本、效率与可靠性有综合要求的中端工业及消费类应用。注意:实际使用需配合合理栅极驱动、散热片及过压/过温保护设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 20A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHP20NQ20T,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHP20NQ20T,127 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 130 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5758 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PHP20NQ20T |