Datasheet下载- 型号： PHD20N06T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHD20N06T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHD20N06T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHD20N06T,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHD20N06T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHD20N06T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PHD20N06T,118是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET（60V，20A，Rds(on)典型值为35mΩ @ Vgs=10V，低至45mΩ @ Vgs=4.5V），采用TO-220AB封装，具备高可靠性、低导通损耗和良好热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 中功率开关电源：如AC-DC适配器、PC电源次级同步整流或DC-DC转换器中的主开关/续流开关； ✅ 电机驱动：适用于小型直流电机（如风扇、泵、电动工具）的H桥或单路驱动，支持PWM调速； ✅ 负载开关与电源管理：在工业控制、智能电表、PLC模块中用作板级电源通断控制，支持逻辑电平（3.3V/5V）直接驱动； ✅ LED照明驱动：用于恒流调光电路或LED串的开关控制； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101（注：PHD20N06T,118为标准工业级，非车规；若需车规应用，应选用Nexperia对应AEC-Q101认证型号如PHE20N06T系列）； ✅ 电池供电设备保护：配合保护IC实现过流/短路保护开关功能。 该器件具有内置ESD保护（>2kV HBM）、雪崩耐量（UIS）能力强，适合对能效、尺寸和成本敏感的中端工业及消费类应用。注意设计时需合理匹配栅极驱动能力与PCB散热，以发挥其低Rds(on)优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 18A DPAKMOSFET TAPE13 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHD20N06T,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHD20N06T,118 |
| Pd-PowerDissipation | 51 W |
| Pd-功率耗散 | 51 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 154 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 154 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 422pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 77 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 934056617118 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 51W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | SOT-428-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 PHD20N06T |
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