Datasheet下载- 型号： PH8030L,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH8030L,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH8030L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH8030L,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH8030L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH8030L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH8030L,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用小型表面贴装 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 30 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.6 nC）和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路，得益于其低功耗与逻辑电平兼容（3.3 V/5 V MCU 可直接驱动）； 2. DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为高效同步整流管，提升轻载效率； 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型直流有刷电机（如风扇、振动马达）的 PWM 控制或固态开关，替代机械继电器，实现静音、长寿命控制； 4. USB 接口保护与热插拔控制：配合限流电路实现过流防护及受控上电； 5. 工业与消费类嵌入式系统：如传感器模块、IoT 节点中的信号切换、电源域隔离等空间受限场景。 该器件工作结温范围为 –55°C 至 150°C，具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ±2 kV），适用于高可靠性、小尺寸、中低功率（连续漏极电流 ID = 3.5 A，脉冲可达 12 A）应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH8030L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2260pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 934058818115 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 76.7A （Tc） |
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