Datasheet下载- 型号： PH4530L,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH4530L,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH4530L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH4530L,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH4530L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH4530L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH4530L,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用小型表面贴装 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 30 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.6 nC）及快速开关特性。其额定电压为 30 V，连续漏极电流达 4.5 A（Tamb = 25°C），适合低压、中等功率的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC 转换器——作为同步整流开关或降压（Buck）转换器的主/辅开关管，提升转换效率； ✅ 电机驱动——用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的 PWM 控制与启停； ✅ 接口与信号切换——在 MCU GPIO 驱动能力有限时，用作电平转换或外设使能控制（如 USB 外设供电开关）； ✅ LED 背光与照明控制——支持高频 PWM 调光，响应快、功耗低。 该器件具备逻辑电平兼容性（VGS(th) 低至 0.9–1.7 V），可直接由 1.8 V / 3.3 V MCU 驱动，无需额外驱动电路；SOT-23 封装节省 PCB 面积，适用于高密度小型化设计。需注意散热设计（如合理铺铜）以保障持续大电流工作稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH4530L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1972pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-2179-6 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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