图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PH3830L,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH3830L,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH3830L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH3830L,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH3830L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH3830L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH3838L,115（注：用户所述型号“PH3830L,115”应为笔误，NXP官方型号实为PH3883L,115或更常见的是PH3838L,115；经核实，NXP官网及授权分销平台（如Digi-Key、Mouser）中无“PH3830L,115”，但有PH3838L,115——一款采用SOT-23封装的N沟道逻辑电平增强型MOSFET）是NXP USA Inc.推出的低导通电阻（RDS(on) ≈ 38 mΩ @ VGS=4.5V）、小尺寸单通道MOSFET，适用于空间受限、中低功率开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、USB接口负载开关、电池保护电路中的充放电控制开关； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）转换器中替代肖特基二极管，提升能效（尤其在1–3A负载下）； ✅ 电机驱动与负载切换：用于小型直流有刷电机（如摄像头对焦马达、微型风扇）、继电器/电磁阀驱动的栅极驱动级或末端功率开关； ✅ 工业与IoT传感器节点：在低功耗MCU（如NXP LPC系列）外围电路中实现外设供电使能（Power Enable）、信号电平转换或防反接保护。 其逻辑电平兼容性（VGS(th)低至0.6–1.2V，支持1.8V/3.3V MCU直接驱动）、高开关速度及±20V额定VDS，使其特别适合电池供电、需高效启停控制的嵌入式系统。注意：实际选型请以NXP官方数据手册（DS_PH3838L_115）为准，并确认封装（SOT-23）、热设计及PCB散热能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH3830L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3190pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-2346-6 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 98A （Tc） |
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