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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTC144WE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC144WE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC144WE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC144WE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC144WE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC144WE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC144WE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=220 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=220 kΩ），具备内置偏置网络，可直接由数字逻辑（如 MCU GPIO、TTL/CMOS 电平）驱动，无需外接偏置电阻。 典型应用场景包括： 1. 数字开关控制：常用于驱动LED、小型继电器、蜂鸣器、小功率MOSFET栅极等低电流负载（IC最大100 mA），简化PCB设计； 2. 逻辑电平转换与缓冲：在3.3 V/5 V MCU与稍高电压外设间提供电流增益与隔离； 3. 电池供电设备：因内置电阻优化了静态功耗，适合便携式产品（如遥控器、传感器节点）中的低功耗开关应用； 4. 工业与消费类电子输入接口：用于按键检测、信号整形、状态指示等简单数字信号放大/反相（该器件为带电阻的NPN，常接成反相开关）； 5. 替代传统分立偏置BJT方案：提升生产良率与一致性，降低BOM成本与贴片数量。 注意：其SOT323封装尺寸小（2.1×1.25×0.95 mm），适用于空间受限设计；但不适用于线性放大或高频（fT≈250 MHz，仅限开关用途）、大电流或高压场景。需确保工作在饱和区（VCE(sat)典型值0.1 V @ IC=10 mA），以保障低导通损耗。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC144WE,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-2171-6 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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