Datasheet下载- 型号： PDTC114TEF,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114TEF,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114TEF,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114TEF,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC114TEF,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114TEF,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC114TEF,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（即带内置偏置电阻的 NPN 型预偏置双极结型晶体管，BRT）。其内部集成一个 10 kΩ 输入电阻（R1）和一个 10 kΩ 上拉/反馈电阻（R2），构成经典的“1:1”分压偏置结构，支持直接由 3.3 V 或 5 V 逻辑电平（如 MCU GPIO、FPGA 输出）驱动，无需外接偏置电阻。 典型应用场景包括： ✅ 数字开关控制：驱动LED指示灯、小型继电器线圈、蜂鸣器、小功率MOSFET栅极等低电流负载（ICmax = 100 mA，典型开关电流≤50 mA）； ✅ 逻辑电平接口与信号调理：在微控制器与外围电路间实现电平转换或电流增强，提升驱动能力； ✅ 嵌入式系统输入/输出缓冲：用于按键去抖检测、传感器信号整形、开漏输出扩展等； ✅ 消费电子与家电控制板：如打印机、机顶盒、智能照明模块中用于状态指示或负载通断控制； ✅ 工业IoT节点：在空间受限、成本敏感的低功耗终端设备中替代传统三极管+电阻方案，简化PCB设计并提高可靠性。 该器件采用超小型 SOT-323（SC-70）封装，具备ESD防护（HBM >8 kV），工作温度范围为−65 °C 至 +150 °C，适用于紧凑型、高可靠性要求的便携及通用电子设备。注意：不适用于线性放大或大电流/高功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC89 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC114TEF,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-89 |
| 其它名称 | 568-2140-1 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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