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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA144WMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA144WMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA144WMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA144WMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA144WMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA144WMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA144WMB,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R₁=47 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=47 kΩ），采用超小型SOT-323（SC-70）封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如GPIO）直接驱动LED、小功率继电器或蜂鸣器，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； 2. 负载开关/电源管理：在便携式设备中作为低功耗高边开关，控制外围模块（如传感器、通信模块）的供电通断； 3. 信号反相与缓冲：利用其集成电阻网络实现简单反相器功能，适用于低速开关信号调理（如按键消抖、状态指示）； 4. 电池供电设备：得益于低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）和微安级基极漏电流，可延长IoT节点、遥控器、可穿戴设备等的电池寿命； 5. 空间受限场景：SOT-323封装（尺寸约2.0×2.1×0.9 mm）特别适合高密度布局的消费电子主板或模块化设计。 该器件不适用于高频放大或大电流（IC最大100 mA）连续工作场景，主要定位为成本敏感、设计简洁的通用开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA144WMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065938315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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