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  • 型号: PBSS5612PA,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS5612PA,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5612PA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5612PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5612PA,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 6A 60MHz 2.1W Surface Mount 3-HUSON (2x2)。您可以下载PBSS5612PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5612PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS5612PA,115 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT1215(DFN2020-6)小型无引线封装,具备高增益(hFE典型值120–270)、低饱和压降(VCE(sat)低至0.14 V @ IC = 1 A)、高开关速度及良好热性能。其主要应用场景包括:

1. 中功率开关应用:广泛用于DC-DC转换器(如Buck/Boost电路中的同步整流或驱动级)、电源管理模块、LED恒流驱动及负载开关,适合1–2 A电流切换需求;  
2. 电机控制:在小型直流电机(如风扇、打印机步进电机驱动)的H桥或单边驱动电路中用作开关元件;  
3. 工业与汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载照明控制、车身控制模块(BCM)、传感器接口及继电器驱动等对可靠性要求较高的场景;  
4. 便携式设备:得益于小尺寸与低功耗特性,常用于智能手机、平板电脑的背光控制、音频放大器偏置电路及电池保护电路中的信号开关。

该器件支持表面贴装(SMT),兼容自动化产线,且具有良好的ESD防护能力(HBM > 2 kV),适用于高密度PCB设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061两极晶体管 - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5612PA,115-

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产品型号

PBSS5612PA,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 300mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

190 @ 2A,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

3-HUSON

其它名称

568-6419-1

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 7 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

60 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-PowerUDFN

封装/箱体

SOT-1061

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

2.1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 7 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

335

直流集电极/BaseGainhfeMin

130

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 12 V

集电极—基极电压VCBO

- 12 V

集电极连续电流

- 6 A

频率-跃迁

60MHz

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