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Datasheet下载- 型号： PBSS5612PA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PBSS5612PA,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5612PA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5612PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5612PA,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 6A 60MHz 2.1W Surface Mount 3-HUSON (2x2)。您可以下载PBSS5612PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5612PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061两极晶体管 - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5612PA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5612PA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 300mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 190 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-6419-1 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 60 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 封装/箱体 | SOT-1061 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 7 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 335 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 130 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 12 V |
| 集电极连续电流 | - 6 A |
| 频率-跃迁 | 60MHz |
