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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJE3303H2TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJE3303H2TU价格参考。Fairchild SemiconductorFJE3303H2TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJE3303H2TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJE3303H2TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJE3303H2TU是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高电压、高增益功率晶体管,常用于需要高稳定性和高可靠性的模拟与功率放大电路中。其典型应用场景包括: 1. 音频功率放大器:该器件具有优良的线性特性和高电流增益,适用于音响设备中的前置或末级音频放大电路,提供清晰、低失真的信号放大。 2. 开关电源(SMPS):在AC-DC或DC-DC转换器中,FJE3303H2TU可用于控制和驱动电路中的开关元件,尤其适用于中小功率电源模块,实现高效电能转换。 3. 电机驱动电路:作为驱动晶体管,可应用于小型直流电机或步进电机的控制电路中,起到信号放大与负载驱动作用。 4. 工业控制与电源管理:在工业自动化设备、继电器驱动、电源稳压器等系统中,用于信号切换与功率调节。 5. 照明驱动:可用于LED驱动电路,特别是在需要恒流控制的场合,发挥其良好的电流控制能力。 FJE3303H2TU具备较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO达600V),适合高压工作环境,同时具有较低的饱和压降和良好的热稳定性,可在较宽温度范围内可靠运行,广泛应用于消费电子、工业电子及电源类设备中。其封装形式(如TO-126)便于散热安装,适合中等功率应用需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126两极晶体管 - BJT NPN 70 0V/1.5A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJE3303H2TU- |
数据手册 | |
产品型号 | FJE3303H2TU |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 500mA,1.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 14 @ 500mA,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-126 |
功率-最大值 | 20W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 761 mg |
发射极-基极电压VEBO | 9 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 4 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
封装/箱体 | TO-126 |
工厂包装数量 | 60 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 20 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 60 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
系列 | FJE3303 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极—基极电压VCBO | 700 V |
零件号别名 | FJE3303H2TU_NL |
频率-跃迁 | 4MHz |