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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4350T,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4350T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4350T,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS4350T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4350T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的PBSS4350T,215是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的晶体管通常应用于以下场景: 1. 信号放大:PBSS4350T,215可作为音频或射频信号放大的核心元件,适用于低噪声、高增益的信号处理电路中,例如收音机、耳机放大器或通信设备中的前置放大器。 2. 开关应用:由于其良好的开关特性,该晶体管可用于数字电路中的开关功能,如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景。它能够快速切换状态,确保高效能表现。 3. 电源管理:在一些简单的电源管理系统中,PBSS4350T,215可以用于稳压器、电流限制器或负载调节器的设计,帮助维持输出电压或电流的稳定性。 4. 传感器接口:此晶体管适合用作传感器信号的调理电路,将微弱的传感器信号放大到后续处理电路可识别的水平,常见于温度、压力或光电传感器的应用中。 5. 脉宽调制(PWM)控制:在需要精确控制输出功率的场合,例如直流-直流转换器或LED亮度调节,该晶体管可以用作PWM信号的执行元件。 6. 高频应用:PBSS4350T,215具备一定的高频性能,因此也可以应用于高频振荡器或混频器电路中,满足无线通信或其他射频相关需求。 总之,PBSS4350T,215凭借其稳定的性能和广泛的适用范围,在消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域有着多样化的应用场景。具体使用时需根据实际电路设计要求选择合适的偏置条件和外围元件搭配,以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 50V 2A SOT23两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4350T,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS4350T,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 370mV @ 300mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 1A,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-6410-2 |
功率-最大值 | 540mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 at 100 mA at 2 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极连续电流 | 2 A |
零件号别名 | PBSS4350T T/R |
频率-跃迁 | 100MHz |