Datasheet下载- 型号： PBSS4230QAZ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4230QAZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4230QAZ价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4230QAZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4230QAZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4230QAZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4230QAZ 是 Nexperia 推出的一款高性能 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用小型无引线 DFN1006-3（SOT883）封装，具有低饱和电压（VCE(sat) 典型值仅 190 mV @ IC = 300 mA）、高直流电流增益（hFE = 200–450 @ IC = 100 mA）、快速开关特性（ton/toff 约数十纳秒）及优良的热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备中的负载开关——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中驱动LED背光、振动马达或传感器模块的电源通断控制； ✅ 电池供电系统的高效开关电路——在低功耗IoT节点、无线传感器中用于电池电压监测或外设唤醒控制，得益于其超低饱和压降，可减少功耗与发热； ✅ 小型DC-DC转换器的辅助开关或偏置电路——常用于同步整流、栅极驱动或基准电流源等子功能； ✅ 汽车电子中的车身控制模块（BCM）——符合AEC-Q101标准，适用于车规级LED灯控、继电器驱动、CAN/LIN接口电平转换等严苛环境应用； ✅ 工业自动化中的信号调理与逻辑接口——如PLC输入/输出缓冲、光电耦合器后级驱动、微控制器GPIO扩流等。 该器件支持±1 kV HBM ESD防护，具备高可靠性与小尺寸优势，特别适合空间受限、能效敏感及需长期稳定运行的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PBSS4230QAZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 190mV @ 50mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN （1.1x1） |
| 功率-最大值 | 325mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 190MHz |
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