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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PBSS4160PAN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160PAN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4160PAN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4160PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4160PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PBSS4160PAN,115 是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，广泛应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于开关电路、电压调节器和稳压器中的信号放大与控制。 - 在 DC-DC 转换器中作为驱动晶体管，实现高效的功率转换。 2. 信号放大与处理 - 在音频设备中用作小信号放大器，提升音频信号的质量。 - 适用于传感器信号调理电路，对微弱信号进行放大和处理。 3. 电机驱动与控制 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供精确的电流控制。 - 在 H 桥电路中，作为开关元件实现电机正反转控制。 4. 消费电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。 - 在家用电器（如智能电视、空调、冰箱）中，用于控制和调节功能模块的运行状态。 5. 通信设备 - 在无线通信模块中，用于信号调制与解调电路。 - 作为射频前端电路的一部分，实现信号增益和匹配功能。 6. 工业自动化 - 用于可编程逻辑控制器 (PLC) 和工业机器人中的信号传输与控制。 - 在工业传感器网络中，作为信号放大和驱动的核心元件。 7. 汽车电子 - 在汽车电子控制系统中，用于灯光控制、雨刷驱动和座椅加热等功能模块。 - 适用于车载信息娱乐系统中的音频放大和电源管理。 8. 照明控制 - 用于 LED 照明驱动电路，实现亮度调节和恒流控制。 - 在智能照明系统中，作为信号处理和开关控制的关键元件。 PBSS4160PAN,115 的双极晶体管阵列设计使其能够在多通道应用中提供一致的性能表现，同时具备高集成度和可靠性，满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 60V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160PAN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4160PAN,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 120mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10199-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 430 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 90 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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