Datasheet下载- 型号： PBLS4002Y,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4002Y,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4002Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4002Y,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS4002Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS4002Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS4002Y,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=47 kΩ，R₂=47 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。该器件采用小型 SOT-666 封装，具备低功耗、高可靠性与节省 PCB 面积等优势。 主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA 或逻辑IC输出端，驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极或光耦输入侧，提供电流放大与电平适配； 2. 分立式开关电路：在消费电子（如电视、机顶盒、打印机）、工业控制板及家电中，作为低成本、高集成度的双路开关，替代分立三极管+电阻方案； 3. 信号调理与脉冲整形：适用于低速数字信号反相、缓冲或简单逻辑组合（如OR/AND功能），尤其适合空间受限的便携设备； 4. 传感器接口前端：配合霍尔传感器、光电开关等，实现信号放大与隔离驱动； 5. 冗余/备份电路设计：双通道结构便于构建互备或差分检测路径，提升系统鲁棒性。 其预偏置特性显著简化电路设计、提高生产良率，并增强温度稳定性（相比分立偏置）。工作电压范围通常为 5 V 至 15 V，最大集电极电流约 100 mA（连续），适用于中低速（fₜ ≈ 180 MHz）、中小电流开关场景，不适用于高频射频或大功率放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS4002Y,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 350mV @ 50mA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V / 150 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-7238-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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