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产品简介:
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NVD6416ANLT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:适用于笔记本电脑、平板、服务器等设备中的DC-DC转换器和电源开关,具备低导通电阻(Rds(on))特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 负载开关控制:用于控制高边或低边负载开关,例如在电源分配系统中实现对不同外设的供电控制,具备快速开关能力和高可靠性。 3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机驱动电路或继电器替代方案中,提供更高效、更耐用的固态开关解决方案。 4. 电池供电设备:广泛应用于电池供电的便携设备中,如移动电源、智能穿戴设备等,有助于延长电池续航时间。 5. 工业控制与自动化:用于工业自动化设备中的功率开关控制,如PLC模块、传感器供电控制等。 该器件采用封装形式,适用于表面贴装,便于自动化生产。其高耐压、低导通损耗和良好热性能,使其在多种中高功率应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD6416ANLT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 74 毫欧 @ 19A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 71W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |