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  • 型号: NVD6416ANLT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVD6416ANLT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD6416ANLT4G价格参考。ON SemiconductorNVD6416ANLT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVD6416ANLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD6416ANLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NVD6416ANLT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理系统:适用于笔记本电脑、平板、服务器等设备中的DC-DC转换器和电源开关,具备低导通电阻(Rds(on))特性,有助于提高能效并减少发热。

2. 负载开关控制:用于控制高边或低边负载开关,例如在电源分配系统中实现对不同外设的供电控制,具备快速开关能力和高可靠性。

3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机驱动电路或继电器替代方案中,提供更高效、更耐用的固态开关解决方案。

4. 电池供电设备:广泛应用于电池供电的便携设备中,如移动电源、智能穿戴设备等,有助于延长电池续航时间。

5. 工业控制与自动化:用于工业自动化设备中的功率开关控制,如PLC模块、传感器供电控制等。

该器件采用封装形式,适用于表面贴装,便于自动化生产。其高耐压、低导通损耗和良好热性能,使其在多种中高功率应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NVD6416ANLT4G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

74 毫欧 @ 19A,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

71W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Tc)

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