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  • 型号: NVD2955T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVD2955T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD2955T4G价格参考。ON SemiconductorNVD2955T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVD2955T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD2955T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NVD2955T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于多种工业和汽车电子系统。

其主要应用场景包括:

1. DC-DC转换器:用于电源管理系统中的升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效能的电压转换。
2. 电机驱动电路:作为开关元件,用于控制直流电机或步进电机的运行,常见于自动化设备和机器人系统。
3. 电源开关:在电源管理系统中作为高效开关使用,如电源分配系统或负载开关。
4. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或逆变器中,实现直流到交流的电能转换。
5. 汽车电子系统:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车载电机控制模块,因其具备较高的可靠性和耐压能力,适合汽车环境。
6. 工业控制设备:用于工业自动化设备中的功率控制模块,如PLC输出开关或传感器驱动电路。

综上,NVD2955T4G凭借其优良的性能广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子和工业自动化等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 12A DPAKMOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 12 A

Id-连续漏极电流

- 12 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVD2955T4G-

mouser_ship_limit

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产品型号

NVD2955T4G

Pd-PowerDissipation

55 W

Pd-功率耗散

55 W

Qg-GateCharge

15 nC

Qg-栅极电荷

15 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

155 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

155 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

45 ns

下降时间

48 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

55W

包装

*

商标

ON Semiconductor

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

*

封装/箱体

DPAK-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta)

系列

NTD2955

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