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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD2955T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD2955T4G价格参考。ON SemiconductorNVD2955T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVD2955T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD2955T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD2955T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力,适用于多种工业和汽车电子系统。 其主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:用于电源管理系统中的升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效能的电压转换。 2. 电机驱动电路:作为开关元件,用于控制直流电机或步进电机的运行,常见于自动化设备和机器人系统。 3. 电源开关:在电源管理系统中作为高效开关使用,如电源分配系统或负载开关。 4. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或逆变器中,实现直流到交流的电能转换。 5. 汽车电子系统:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车载电机控制模块,因其具备较高的可靠性和耐压能力,适合汽车环境。 6. 工业控制设备:用于工业自动化设备中的功率控制模块,如PLC输出开关或传感器驱动电路。 综上,NVD2955T4G凭借其优良的性能广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子和工业自动化等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAKMOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVD2955T4G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVD2955T4G |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | DPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |
| 系列 | NTD2955 |