Datasheet下载- 型号： NTQD6968N
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTQD6968N由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTQD6968N价格参考。ON SemiconductorNTQD6968N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTQD6968N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTQD6968N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTQD6968N 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-1205（2×2 mm）小尺寸封装，内置两个匹配度高、低导通电阻（Rds(on)典型值仅34 mΩ @ Vgs=4.5V）的MOSFET，具备逻辑电平驱动能力（Vgs(th)低至1.0–2.2V），并集成ESD保护与体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池充放电路径控制或USB端口过流保护； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：双MOSFET可配置为半桥或并联使用，提升效率、降低热耗； ✅ H桥电机驱动（微型）：适用于小功率有刷直流电机（如摄像头云台、微型风扇、玩具马达）的正反转控制，节省PCB空间； ✅ LED背光/RGB驱动电路：用于多路LED的独立PWM调光开关，利用其快速开关特性（ton/toff约10 ns级）； ✅ 热插拔与电源排序电路：双通道可分别控制不同电源域的上电时序，防止浪涌电流。 该器件强调高集成度、小尺寸与可靠性，特别适合对空间敏感、需中低电流（连续ID ≤ 3.5A/通道）、中低压（Vds = 30V）应用的紧凑型设计。不适用于大功率或高压场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTQD6968N |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 1.39W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A |
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