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- 型号： NTQD6866R2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTQD6866R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTQD6866R2G价格参考。ON SemiconductorNTQD6866R2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTQD6866R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTQD6866R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTQD6866R2G 是安森美（onsemi）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约19mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及优良的热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的上下管驱动，尤其适用于负载点（POL）电源、笔记本电脑主板、显卡供电模块等中高功率密度场景；双MOSFET集成结构可简化布局、提升效率并减少PCB面积。 - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电控制开关或均衡回路，支持双向电流检测与快速关断。 - 电机驱动与负载开关：适用于小型直流无刷电机（BLDC）的半桥驱动、LED背光调光控制、USB端口过流保护及热插拔电路等，凭借低阈值电压（Vgs(th) 1.0–2.2V）兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。 - 工业与消费电子接口保护：如HDD/SSD电源管理、打印机电源模块、智能电表电源路径管理等对可靠性与空间敏感的应用。 该器件符合AEC-Q101标准（车规级），亦可用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助电源等严苛环境（需注意散热设计）。其双通道共源极配置支持灵活拓扑应用，但不适用于需要独立源极连接的高端驱动场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTQD6866R2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 6.9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | NTQD6866R2GOS |
| 功率-最大值 | 940mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A |
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