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- 型号： NTLTS3107PR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLTS3107PR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLTS3107PR2G价格参考。ON SemiconductorNTLTS3107PR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLTS3107PR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLTS3107PR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLTS3107PR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 450mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和低阈值电压（VGS(th) ≈ −0.5V至−1.2V），适合低功耗、空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理——如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其低静态电流与快速开关特性实现高效启停控制； ✅ LED驱动与背光控制——作为P-MOS侧开关，用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的背光调光或区域关断； ✅ USB端口/Type-C接口的过流/反向电流保护——配合限流IC构成紧凑型防倒灌方案； ✅ IoT传感器节点的电源域隔离——在MCU休眠时切断外围传感器供电，显著降低系统待机功耗； ✅ DC-DC转换器同步整流辅助开关（低压侧辅助控制场景）或LDO使能控制等轻载开关应用。 其微型封装与无铅兼容设计，特别适用于高密度PCB布局，但需注意散热限制（额定连续漏极电流ID仅0.6A），不适用于大电流或高功率场景。建议搭配合理PCB铜箔散热，并在开关节点添加小容值电容抑制振铃。
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