Datasheet下载- 型号： NTHS5445T1
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS5445T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS5445T1价格参考。ON SemiconductorNTHS5445T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHS5445T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHS5445T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHS5445T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能、小尺寸、低导通电阻的P沟道增强型MOSFET，采用超薄TSOP-6封装（0.8mm厚度），专为高密度便携式电子设备优化。其典型应用场景包括： 1. 电池保护电路：常用于锂离子/聚合物电池组的充放电保护IC外围，作为充电路径控制或放电截止开关，利用其低Rds(on)（典型值29mΩ @ VGS=–4.5V）降低功耗与温升。 2. 负载开关（Load Switch）：在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，用于电源域的智能上电/断电管理，实现快速、无抖动的电源启停，配合内部ESD防护（HBM ±2kV）提升系统可靠性。 3. DC-DC转换器同步整流：在降压型（Buck）转换器中作同步整流管（尤其在轻载高效设计中），提升转换效率并减小散热需求。 4. 热插拔与电源多路复用：适用于USB PD、Type-C接口供电路径管理，支持反向电流阻断（Backflow Prevention），防止电池倒灌。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），具备雪崩耐量（UIS rated），适合空间受限、强调能效与可靠性的消费类及工业级便携应用。需注意其为P沟道，驱动逻辑与N沟道相反（低电平导通），设计时应匹配合适的栅极驱动策略。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHS5445T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHS5445T1OS |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta） |
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