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- 型号： NTGD3133PT1H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD3133PT1H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD3133PT1H价格参考。ON SemiconductorNTGD3133PT1H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGD3133PT1H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGD3133PT1H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGD3133PT1H 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723超小型封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 450mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其超小尺寸与低功耗特性节省PCB空间并延长续航； 2. 高效DC-DC转换器的同步整流/高边开关：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中，作为辅助开关配合主MOSFET实现高效功率路径控制； 3. USB端口过压/反向电流保护：凭借快速关断能力（tf < 10ns）及低阈值电压（VGS(th) ≈ −0.5V至−1.2V），适用于USB Type-C接口的VBUS开关与反向电流阻断； 4. LED驱动与背光控制：用于中小电流LED的PWM调光开关，响应快、发热低； 5. IoT传感器节点的电源选通：在低功耗待机模式下切断外设供电，降低系统静态电流。 该器件额定电压−20V、连续漏极电流−0.5A（TA=25°C），适合低压、小电流、高集成度场景，不适用于大功率或高电压主开关应用。
产品参数
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