Datasheet下载- 型号： NTDV5805NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTDV5805NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTDV5805NT4G价格参考。ON SemiconductorNTDV5805NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTDV5805NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTDV5805NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTDV5805NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约45 mΩ @ Vgs=10V）、额定电压30V、连续漏极电流达4.8A（Tc=25°C），具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的低侧开关，如笔记本电脑主板、机顶盒、网络设备等中低压高效率电源模块； ✅ 负载开关与电源管理：在便携式设备（如POS终端、工业HMI、智能电表）中实现电池供电路径控制、上电时序管理及过流保护； ✅ 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、微型泵）的H桥或单路驱动电路，尤其在空间受限的嵌入式系统中； ✅ LED驱动与背光控制：作为恒流调光开关，用于中小尺寸LCD背光或指示灯的PWM调光； ✅ 接口保护与热插拔电路：配合限流/检测电路，用于USB供电端口或板级热插拔保护。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.2V），可直接由MCU GPIO（3.3V/5V）驱动，简化外围设计；SOT-223封装兼顾散热性与贴装密度，适合紧凑型PCB布局。需注意在大电流应用中加强PCB铜箔散热设计以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTDV5805NT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1725pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 47W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 51A （Tc） |
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