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Datasheet下载- 型号： BLF642,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF642,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF642,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF642,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 32V 200mA 1.3GHz 19dB 35W SOT467C。您可以下载BLF642,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF642,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF642,112是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于高频率、高功率的射频放大场景。该器件特别适用于工作频率在DC至500 MHz范围内的广播与通信系统，如调频（FM）广播发射机、电视广播发射机以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备。 BLF642,112具备高增益、高效率和良好的热稳定性，能够在+28V电源电压下提供高达200W的连续波（CW）输出功率，因此非常适合用于大功率模拟与数字射频放大器设计中。其坚固的LDMOS结构增强了在高驻波比（VSWR）条件下的耐用性，提升了系统可靠性。 典型应用场景包括地面数字电视（DTMB、DVB-T/T2等）发射系统、AM/FM广播发射机升级、公共安全通信基站、航空导航设备及高功率工业加热设备。此外，该器件也适用于需要高线性度和稳定性能的多载波放大应用，支持现代高效调制技术。 由于其优异的散热性能和可靠的封装设计（陶瓷金属封装），BLF642,112可在严苛环境下长期稳定运行，是专业射频功率放大领域的理想选择。常被集成于推挽或单端放大电路中，配合适当的匹配网络实现最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT467C |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF642,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-7548 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT467C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 1.3GHz |
| 额定电流 | 8.5A |
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