Datasheet下载- 型号： NTD4979NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4979NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4979NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4979NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4979NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4979NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4979N T4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 116 A，脉冲可达460 A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率有刷/无刷直流电机控制（如风扇、泵、电动工具），支持高频PWM驱动； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、嵌入式系统中用作高效主电源开关或热插拔保护器件； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电回路的高侧/低侧开关，配合保护IC实现过流、短路防护； - LED驱动与照明电源：在高亮度LED恒流驱动电路中作为调光开关或续流路径。 该器件具备100 V耐压、快速开关（ton/toff 约20/15 ns）、强雪崩耐受能力及符合AEC-Q101（部分批次）的可靠性标准，兼顾工业级与车载前装兼容性需求。需注意PCB布局优化散热，并合理设计栅极驱动（推荐VGS = 10 V以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4979NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 837pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.38W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Ta）， 41A （Tc） |
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