Datasheet下载- 型号： NTD4965N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4965N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4965N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4965N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4965N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4965N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4965N-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.5 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID连续达120A）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流Buck转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动电路，支持高频PWM控制； 3. 负载开关与电源管理：在主板、显卡、嵌入式系统中用作高效热插拔保护、电池充放电路径控制或电源轨切换； 4. LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动电路中的开关管，满足高能效与高可靠性要求； 5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否为车规版），可用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等非安全关键应用。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、快速开关特性（trise/tfall约10–20 ns）及优化的栅极电荷（Qg≈65 nC），适合中高频（≤500 kHz）硬开关应用。设计时建议配合低阻抗栅极驱动及合理PCB布局以抑制EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4965N-35G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.39W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta）， 68A （Tc） |
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