Datasheet下载- 型号： NTD14N03RG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD14N03RG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD14N03RG价格参考。ON SemiconductorNTD14N03RG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD14N03RG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD14N03RG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD14N03RG 是安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = 30 V、ID（连续）= 14 A（TC = 25°C）、RDS(on) ≈ 28 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通损耗和良好开关性能。 该器件主要适用于中低压、中电流的直流电源管理与功率控制场景，典型应用包括： ✅ DC-DC 转换器：如同步降压（Buck）转换器中的下管（或异步拓扑中的主开关），尤其适用于 5–24 V 输入系统（如工业电源、通信设备供电模块）； ✅ 电机驱动：用于小型直流电机（如风扇、泵、电动工具）的 H 桥或单路驱动电路，提供高效、可靠的开关控制； ✅ 负载开关与电源路径管理：在便携设备、嵌入式系统中实现上电时序控制、电池保护或热插拔保护； ✅ LED 驱动与照明控制：配合恒流源用于中功率 LED 的 PWM 调光或开关控制； ✅ 逆变器与电源辅助电路：如 UPS、太阳能微逆变器中的辅助电源或栅极驱动级。 其 DPAK 封装兼顾散热性与贴片工艺兼容性，适合自动化生产；内置体二极管具备一定续流能力，但高频应用中建议外置快恢复二极管以优化效率。需注意：设计时应确保栅极驱动电压充足（推荐 ≥ 10 V），并合理布局 PCB 散热焊盘以维持结温在安全范围内（TJ ≤ 175°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD14N03RG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 115pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD14N03RGOS |
| 功率-最大值 | 1.04W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
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